LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 11NM80 METAL (TO-220) »
ID produktu: 13896
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11NM80 METAL (TO-220)
Model 11NM80, tranzystor typu MOSFET w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 800V oraz prądem drenu ID na poziomie 11A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o aplikacjach o wysokiej wydajności, wykorzystuje zaawansowane technologie w celu optymalizacji rezystancji kanału przy niskim VGS. Dostępne w ofercie części elektroniczne obejmują szeroki zakres tranzystorów MOSFET, w tym model 11NM80, który znajduje zastosowanie w zasilaczach, przekształtnikach oraz innych urządzeniach wymagających elementów z wysoką efektywnością przełączania.
Tranzystor 11NM80 METAL (TO-220)
Model 11NM80, tranzystor typu MOSFET w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 800V oraz prądem drenu ID na poziomie 11A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o aplikacjach o wysokiej wydajności, wykorzystuje zaawansowane technologie w celu optymalizacji rezystancji kanału przy niskim VGS. Dostępne w ofercie części elektroniczne obejmują szeroki zakres tranzystorów MOSFET, w tym model 11NM80, który znajduje zastosowanie w zasilaczach, przekształtnikach oraz innych urządzeniach wymagających elementów z wysoką efektywnością przełączania.
Tranzystor o symbolu : 11NM80 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13728
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11NM80 PLASTIC (TO-220F)
Model 11NM80, tranzystor wykonany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła (VDS) wynoszącym 800V oraz prądem drenu (ID) na poziomie 11A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, operuje w zakresie temperatur od -55°C do 150°C, co czyni go odpowiednim dla zastosowań wymagających wysokiej niezawodności.
Tranzystor 11NM80 PLASTIC (TO-220F)
Model 11NM80, tranzystor wykonany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła (VDS) wynoszącym 800V oraz prądem drenu (ID) na poziomie 11A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, operuje w zakresie temperatur od -55°C do 150°C, co czyni go odpowiednim dla zastosowań wymagających wysokiej niezawodności.
Tranzystor o symbolu : 11NM80 (W11NM80) METAL (TO-247) »
ID produktu: 13771
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11NM80 (W11NM80) METAL (TO-247)
Tranzystor 11NM80 (W11NM80) w obudowie TO-247 charakteryzuje się napięciem pracy do 800V oraz prądem drenu Id(max) wynoszącym 11A. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, wykazuje niskie RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach przemysłowych. Zastosowanie technologii METAL pozwala na poprawę wydajności termicznej.
Tranzystor 11NM80 (W11NM80) METAL (TO-247)
Tranzystor 11NM80 (W11NM80) w obudowie TO-247 charakteryzuje się napięciem pracy do 800V oraz prądem drenu Id(max) wynoszącym 11A. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, wykazuje niskie RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach przemysłowych. Zastosowanie technologii METAL pozwala na poprawę wydajności termicznej.
Tranzystor o symbolu : 11P06 SMD (TO-252) »
ID produktu: 12900
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11P06 SMD (TO-252)
Model 11P06 to tranzystor typu MOSFET P-Channel, zaprojektowany do montażu powierzchniowego w obudowie TO-252. Charakteryzuje się napięciem pracy VDS do -60V oraz prądem ciągłym drenu ID do -11A. Znajduje zastosowanie w przetwornicach, regulacji mocy oraz w systemach zarządzania częściami elektronicznymi. Jego parametry termiczne i elektryczne są dostosowane do pracy w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor 11P06 SMD (TO-252)
Model 11P06 to tranzystor typu MOSFET P-Channel, zaprojektowany do montażu powierzchniowego w obudowie TO-252. Charakteryzuje się napięciem pracy VDS do -60V oraz prądem ciągłym drenu ID do -11A. Znajduje zastosowanie w przetwornicach, regulacji mocy oraz w systemach zarządzania częściami elektronicznymi. Jego parametry termiczne i elektryczne są dostosowane do pracy w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor o symbolu : 11S60 PLASTIC »
ID produktu: 10348
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11S60 PLASTIC
Tranzystor 11S60 PLASTIC, będący elementem półprzewodnikowym, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem do 11A. Wykonany w technologii MOSFET, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Dzięki obudowie typu TO-220, zapewnia doskonałą odporność termiczną oraz mechaniczną. Odpowiedni dla szerokiego zakresu aplikacji, w tym w przetwornicach mocy, systemach zarządzania energią oraz w częściach elektronicznych o wysokiej częstotliwości pracy.
Tranzystor 11S60 PLASTIC
Tranzystor 11S60 PLASTIC, będący elementem półprzewodnikowym, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem do 11A. Wykonany w technologii MOSFET, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Dzięki obudowie typu TO-220, zapewnia doskonałą odporność termiczną oraz mechaniczną. Odpowiedni dla szerokiego zakresu aplikacji, w tym w przetwornicach mocy, systemach zarządzania energią oraz w częściach elektronicznych o wysokiej częstotliwości pracy.
Tranzystor o symbolu : 12MN50 METAL (TO-220) »
ID produktu: 11860
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 12MN50 METAL (TO-220)
Model 12MN50, tranzystor typu MOSFET, zamknięty w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 500V oraz prądem drenu do 12A. Zapewnia wysoką efektywność i szybkość przełączania. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości.
Tranzystor 12MN50 METAL (TO-220)
Model 12MN50, tranzystor typu MOSFET, zamknięty w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 500V oraz prądem drenu do 12A. Zapewnia wysoką efektywność i szybkość przełączania. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości.
Tranzystor o symbolu : 12N50E PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12405
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 12N50E PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 12N50E, zamknięty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem dren-źródło wynoszącym 500V oraz prądem drenu 12A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, operuje w trybie N-Channel, co umożliwia efektywne przełączanie i regulację w aplikacjach zasilania.
Tranzystor 12N50E PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 12N50E, zamknięty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem dren-źródło wynoszącym 500V oraz prądem drenu 12A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, operuje w trybie N-Channel, co umożliwia efektywne przełączanie i regulację w aplikacjach zasilania.
Tranzystor o symbolu : 12N60C PLASTIC (FQPF12N60C) (TO-220F) »
ID produktu: 10367
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 12N60C PLASTIC (FQPF12N60C) (TO-220F)
Model FQPF12N60C, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz maksymalnym prądem drenu wynoszącym 12A. Obudowa TO-220F zapewnia efektywny rozpraszanie ciepła. Znajduje zastosowanie w przekształtnikach, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających regulacji wysokiego napięcia.
Tranzystor 12N60C PLASTIC (FQPF12N60C) (TO-220F)
Model FQPF12N60C, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz maksymalnym prądem drenu wynoszącym 12A. Obudowa TO-220F zapewnia efektywny rozpraszanie ciepła. Znajduje zastosowanie w przekształtnikach, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających regulacji wysokiego napięcia.
Tranzystor o symbolu : 12N65 PLASTIC (FQPF12N65) (TO-220F) »
ID produktu: 12428
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 12N65 PLASTIC (FQPF12N65) (TO-220F)
Model FQPF12N65, znany również jako 12N65 PLASTIC, to tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany do pracy w obudowie TO-220F. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 650V oraz prądem drenu 12A. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz innych aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania.
Tranzystor 12N65 PLASTIC (FQPF12N65) (TO-220F)
Model FQPF12N65, znany również jako 12N65 PLASTIC, to tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany do pracy w obudowie TO-220F. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 650V oraz prądem drenu 12A. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz innych aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania.
Tranzystor o symbolu : 12NA50 METAL (TO-220) »
ID produktu: 12178
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 12NA50 METAL (TO-220)
Tranzystor 12NA50 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem maksymalnym na poziomie 12A. Dedykowany dla aplikacji wymagających wysokiej wydajności prądowej oraz stabilności termicznej. Jego konstrukcja metalowa zapewnia doskonałą odporność na wysokie temperatury. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania i przetwarzania energii. Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację w projektach przemysłowych.
Tranzystor 12NA50 METAL (TO-220)
Tranzystor 12NA50 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem maksymalnym na poziomie 12A. Dedykowany dla aplikacji wymagających wysokiej wydajności prądowej oraz stabilności termicznej. Jego konstrukcja metalowa zapewnia doskonałą odporność na wysokie temperatury. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania i przetwarzania energii. Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację w projektach przemysłowych.
