LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 10N65 METAL (TO-220) »
ID produktu: 13230
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 10N65 METAL (TO-220)
Tranzystor 10N65 METAL (TO-220) to półprzewodnikowy element wykonany w technologii MOSFET, charakteryzujący się napięciem pracy do 650V oraz prądem drenu Id(max) wynoszącym 10A. Obudowa TO-220 zapewnia efektywną dystrybucję ciepła. Urządzenie jest przeznaczone do zastosowań w wysokonapięciowych układach zasilających. Dostępne części elektroniczne ułatwiają integrację z różnorodnymi układami.
Tranzystor 10N65 METAL (TO-220)
Tranzystor 10N65 METAL (TO-220) to półprzewodnikowy element wykonany w technologii MOSFET, charakteryzujący się napięciem pracy do 650V oraz prądem drenu Id(max) wynoszącym 10A. Obudowa TO-220 zapewnia efektywną dystrybucję ciepła. Urządzenie jest przeznaczone do zastosowań w wysokonapięciowych układach zasilających. Dostępne części elektroniczne ułatwiają integrację z różnorodnymi układami.
Tranzystor o symbolu : 10NC50 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13220
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 10NC50 PLASTIC (TO-220F)
Model 10NC50, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem kolektora do 10A. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w układach przełączających, zapewnia wysoką efektywność i stabilność termiczną. Dostępność tego i innych części elektronicznych znacząco wpływa na elastyczność projektowania urządzeń elektronicznych.
Tranzystor 10NC50 PLASTIC (TO-220F)
Model 10NC50, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem kolektora do 10A. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w układach przełączających, zapewnia wysoką efektywność i stabilność termiczną. Dostępność tego i innych części elektronicznych znacząco wpływa na elastyczność projektowania urządzeń elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : 10NK80ZFP PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 10707
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 10NK80ZFP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 10NK80ZFP, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 800V oraz prądem drenu ID do 10A. Zastosowanie technologii MOSFET zapewnia wysoką efektywność i szybką przełączalność. Urządzenie jest przeznaczone do zastosowań w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających kluczowania o wysokiej mocy.
Tranzystor 10NK80ZFP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 10NK80ZFP, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 800V oraz prądem drenu ID do 10A. Zastosowanie technologii MOSFET zapewnia wysoką efektywność i szybką przełączalność. Urządzenie jest przeznaczone do zastosowań w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających kluczowania o wysokiej mocy.
Tranzystor o symbolu : 11N120CND (TO-247) »
ID produktu: 12935
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11N120CND (TO-247)
Model 11N120CND, tranzystor w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem pracy do 1200 V oraz prądem kolektora do 11 A. Dedykowany do zastosowań w wysokonapięciowych układach zasilających, oferuje niskie VCE(sat) przy zachowaniu efektywności przełączania. Części elektroniczne tego typu znajdują zastosowanie w przekształtnikach częstotliwości, zasilaczach impulsowych oraz innych aplikacjach wymagających stabilności termicznej i elektrycznej.
Tranzystor 11N120CND (TO-247)
Model 11N120CND, tranzystor w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem pracy do 1200 V oraz prądem kolektora do 11 A. Dedykowany do zastosowań w wysokonapięciowych układach zasilających, oferuje niskie VCE(sat) przy zachowaniu efektywności przełączania. Części elektroniczne tego typu znajdują zastosowanie w przekształtnikach częstotliwości, zasilaczach impulsowych oraz innych aplikacjach wymagających stabilności termicznej i elektrycznej.
Tranzystor o symbolu : 11N40C METAL »
ID produktu: 10854
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11N40C METAL
Tranzystor 11N40C METAL, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 400V oraz prądem drenu ID na poziomie 11A. Urządzenie to, wykonane w technologii metal-oksyd-półprzewodnik, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Zastosowanie w częściach elektronicznych wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Specyfikacja obejmuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na jego efektywność w aplikacjach przełączających.
Tranzystor 11N40C METAL
Tranzystor 11N40C METAL, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 400V oraz prądem drenu ID na poziomie 11A. Urządzenie to, wykonane w technologii metal-oksyd-półprzewodnik, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Zastosowanie w częściach elektronicznych wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Specyfikacja obejmuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na jego efektywność w aplikacjach przełączających.
Tranzystor o symbolu : 11N50 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13231
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11N50 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N50, zawarty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 500V oraz prądem drenu do 11A. Urządzenie to jest przystosowane do pracy w szerokim zakresie temperatur, co zapewnia jego uniwersalność w różnorodnych aplikacjach. Dedykowany głównie do zastosowań w przetwornicach mocy, stanowi kluczowy komponent w częściach elektronicznych wymagających niezawodności i efektywności energetycznej.
Tranzystor 11N50 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N50, zawarty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 500V oraz prądem drenu do 11A. Urządzenie to jest przystosowane do pracy w szerokim zakresie temperatur, co zapewnia jego uniwersalność w różnorodnych aplikacjach. Dedykowany głównie do zastosowań w przetwornicach mocy, stanowi kluczowy komponent w częściach elektronicznych wymagających niezawodności i efektywności energetycznej.
Tranzystor o symbolu : 11N60 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 11264
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11N60 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N60 PLASTIC, zamknięty w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 600V oraz prądem drenu o wartości 11A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, operuje w zakresie temperatur od -55°C do +150°C, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wymagających wysokiej wydajności termicznej.
Tranzystor 11N60 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N60 PLASTIC, zamknięty w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 600V oraz prądem drenu o wartości 11A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, operuje w zakresie temperatur od -55°C do +150°C, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wymagających wysokiej wydajności termicznej.
Tranzystor o symbolu : 11N65 METAL (TO-220) »
ID produktu: 13609
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11N65 METAL (TO-220)
Tranzystor 11N65 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS = 650V oraz prądem drenu ID = 11A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niskie RDS(on), co przekłada się na zredukowane straty mocy w aplikacjach przełączających. Specyfikacja obejmuje także czas włączenia i wyłączenia, co jest kluczowe dla efektywności dynamicznej.
Tranzystor 11N65 METAL (TO-220)
Tranzystor 11N65 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS = 650V oraz prądem drenu ID = 11A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niskie RDS(on), co przekłada się na zredukowane straty mocy w aplikacjach przełączających. Specyfikacja obejmuje także czas włączenia i wyłączenia, co jest kluczowe dla efektywności dynamicznej.
Tranzystor o symbolu : 11N65 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13637
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11N65 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N65 PLASTIC (TO-220F) to element półprzewodnikowy z rodziny MOSFET o napięciu pracy 650V oraz prądzie 11A, zaprojektowany w obudowie TO-220F. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia (Rds(on)), co minimalizuje straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz systemach zarządzania mocą.
Tranzystor 11N65 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N65 PLASTIC (TO-220F) to element półprzewodnikowy z rodziny MOSFET o napięciu pracy 650V oraz prądzie 11A, zaprojektowany w obudowie TO-220F. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia (Rds(on)), co minimalizuje straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz systemach zarządzania mocą.
Tranzystor o symbolu : 11N90C PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13727
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11N90C PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N90C, wykonany w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem pracy do 900V oraz prądem drenażu wynoszącym maksymalnie 11A. Jego zastosowanie znajduje przede wszystkim w układach przetwarzania energii, gdzie stabilność i efektywność są kluczowe. Dzięki zastosowaniu technologii MOSFET, urządzenie oferuje niskie RDS(on), co przekłada się na redukcję strat mocy. Dla osób poszukujących odpowiednich części elektronicznych, 11N90C jest rozwiązaniem pozwalającym na optymalizację projektów elektronicznych.
Tranzystor 11N90C PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N90C, wykonany w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem pracy do 900V oraz prądem drenażu wynoszącym maksymalnie 11A. Jego zastosowanie znajduje przede wszystkim w układach przetwarzania energii, gdzie stabilność i efektywność są kluczowe. Dzięki zastosowaniu technologii MOSFET, urządzenie oferuje niskie RDS(on), co przekłada się na redukcję strat mocy. Dla osób poszukujących odpowiednich części elektronicznych, 11N90C jest rozwiązaniem pozwalającym na optymalizację projektów elektronicznych.
