LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 18N50C PLASTIC (FQPF18N50C) »
ID produktu: 10368
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »FQPF18N50C Tranzystor MOSFET 500V N-Channel QFET
Tranzystor FQPF18N50C, znany również jako 18N50C PLASTIC, to komponent z rodziny MOSFET, operujący w konfiguracji N-Channel, zdolny do pracy przy napięciu do 500V. Charakteryzuje się maksymalnym prądem drenu wynoszącym 18A. Dzięki zastosowaniu technologii QFET, urządzenie to oferuje zwiększoną efektywność przy przetwarzaniu sygnałów. W kontekście części elektronicznych, FQPF18N50C znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, gdzie wymagana jest wysoka niezawodność i efektywność energetyczna.
FQPF18N50C Tranzystor MOSFET 500V N-Channel QFET
Tranzystor FQPF18N50C, znany również jako 18N50C PLASTIC, to komponent z rodziny MOSFET, operujący w konfiguracji N-Channel, zdolny do pracy przy napięciu do 500V. Charakteryzuje się maksymalnym prądem drenu wynoszącym 18A. Dzięki zastosowaniu technologii QFET, urządzenie to oferuje zwiększoną efektywność przy przetwarzaniu sygnałów. W kontekście części elektronicznych, FQPF18N50C znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, gdzie wymagana jest wysoka niezawodność i efektywność energetyczna.
Tranzystor o symbolu : 18N50L PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12411
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 18N50L PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 18N50L PLASTIC, zintegrowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła (VDS) wynoszącym 500V oraz prądem drenu (ID) na poziomie 18A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy, co jest kluczowe w aplikacjach przemysłowych.
Tranzystor 18N50L PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 18N50L PLASTIC, zintegrowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła (VDS) wynoszącym 500V oraz prądem drenu (ID) na poziomie 18A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy, co jest kluczowe w aplikacjach przemysłowych.
Tranzystor o symbolu : 18N80 (FQPF18N80) PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12752
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 18N80 (FQPF18N80) PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 18N80 (FQPF18N80) w obudowie PLASTIC (TO-220F) charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS do 800V oraz prądem drenu ID do 18A. Jest to element z grupy części elektronicznych, wykorzystywany w aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania. Posiada zintegrowaną diodę Zenera dla ochrony bramki.
Tranzystor 18N80 (FQPF18N80) PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 18N80 (FQPF18N80) w obudowie PLASTIC (TO-220F) charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS do 800V oraz prądem drenu ID do 18A. Jest to element z grupy części elektronicznych, wykorzystywany w aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania. Posiada zintegrowaną diodę Zenera dla ochrony bramki.
Tranzystor o symbolu : 18NM60N PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12753
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 18NM60N PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 18NM60N PLASTIC, z obudową typu TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 18A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o wysokiej efektywności i niezawodności w aplikacjach przemysłowych, wykorzystuje zaawansowaną technologię MDmesh™ II. Oferuje niskie VGS(th) oraz RDS(on), co minimalizuje straty mocy. Więcej na temat części elektronicznych można znaleźć w naszej ofercie.
Tranzystor 18NM60N PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 18NM60N PLASTIC, z obudową typu TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 18A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o wysokiej efektywności i niezawodności w aplikacjach przemysłowych, wykorzystuje zaawansowaną technologię MDmesh™ II. Oferuje niskie VGS(th) oraz RDS(on), co minimalizuje straty mocy. Więcej na temat części elektronicznych można znaleźć w naszej ofercie.
Tranzystor o symbolu : 19N06 (STP19N06) METAL (T0-220) »
ID produktu: 12754
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP19N06 METAL (TO-220)
Tranzystor STP19N06, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS = 60V oraz prądem drenu ID = 19A. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on), maksymalizuje efektywność i zmniejsza straty cieplne. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilania i przełączania.
STP19N06 METAL (TO-220)
Tranzystor STP19N06, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS = 60V oraz prądem drenu ID = 19A. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on), maksymalizuje efektywność i zmniejsza straty cieplne. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilania i przełączania.
Tranzystor o symbolu : 20N120 (FGA20N120) (TO-3PN) »
ID produktu: 12309
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 20N120 (FGA20N120) TO-3PN
Tranzystor FGA20N120, znany również jako 20N120, to element półprzewodnikowy w obudowie TO-3PN, zaprojektowany do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających. Charakteryzujący się napięciem pracy do 1200V oraz prądem kolektora do 20A, jest często wykorzystywany w zasilaczach impulsowych oraz przekształtnikach częstotliwości. Jego parametry pozwalają na efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur. Dla zainteresowanych częściami elektronicznymi, FGA20N120 oferuje stabilność termiczną i wysoką wydajność w wymagających aplikacjach.
Tranzystor 20N120 (FGA20N120) TO-3PN
Tranzystor FGA20N120, znany również jako 20N120, to element półprzewodnikowy w obudowie TO-3PN, zaprojektowany do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających. Charakteryzujący się napięciem pracy do 1200V oraz prądem kolektora do 20A, jest często wykorzystywany w zasilaczach impulsowych oraz przekształtnikach częstotliwości. Jego parametry pozwalają na efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur. Dla zainteresowanych częściami elektronicznymi, FGA20N120 oferuje stabilność termiczną i wysoką wydajność w wymagających aplikacjach.
Tranzystor o symbolu : 20N50C (G20N50C) METAL (TO-247) »
ID produktu: 11213
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor G20N50C METAL (TO-247)
Model G20N50C, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem maksymalnym 20A, zapewniając efektywną komutację w obwodach o wysokim napięciu. Obudowa TO-247 zapewnia optymalne rozpraszanie ciepła. Znajdź więcej informacji o częściach elektronicznych w naszej ofercie.
Tranzystor G20N50C METAL (TO-247)
Model G20N50C, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem maksymalnym 20A, zapewniając efektywną komutację w obwodach o wysokim napięciu. Obudowa TO-247 zapewnia optymalne rozpraszanie ciepła. Znajdź więcej informacji o częściach elektronicznych w naszej ofercie.
Tranzystor o symbolu : 20N60C3 (TO-247) »
ID produktu: 13232
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 20N60C3 (TO-247)
Tranzystor 20N60C3 w obudowie TO-247 charakteryzuje się napięciem przebicia VBRDSS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID do 20A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w aplikacjach przemysłowych, zapewnia wysoką wydajność w przekształtnikach częstotliwości i systemach zasilania. Dedykowany dla zaawansowanych układów elektronicznych, części elektroniczne jak ten tranzystor, są niezbędne do budowy efektywnych i niezawodnych systemów energoelektronicznych.
Tranzystor 20N60C3 (TO-247)
Tranzystor 20N60C3 w obudowie TO-247 charakteryzuje się napięciem przebicia VBRDSS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID do 20A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w aplikacjach przemysłowych, zapewnia wysoką wydajność w przekształtnikach częstotliwości i systemach zasilania. Dedykowany dla zaawansowanych układów elektronicznych, części elektroniczne jak ten tranzystor, są niezbędne do budowy efektywnych i niezawodnych systemów energoelektronicznych.
Tranzystor o symbolu : 20N60C3 METAL (TO-220) »
ID produktu: 9643
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 20N60C3 METAL (TO-220)
Tranzystor 20N60C3, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem ciągłym Id do 20A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w układach przekształtników mocy, zapewnia wysoką efektywność i szybkość przełączania. Zastosowanie technologii MDmesh™ III umożliwia optymalizację wydajności przy obniżonym napięciu progowym, co jest istotne dla części elektronicznych w zaawansowanych aplikacjach energetycznych.
Tranzystor 20N60C3 METAL (TO-220)
Tranzystor 20N60C3, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem ciągłym Id do 20A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w układach przekształtników mocy, zapewnia wysoką efektywność i szybkość przełączania. Zastosowanie technologii MDmesh™ III umożliwia optymalizację wydajności przy obniżonym napięciu progowym, co jest istotne dla części elektronicznych w zaawansowanych aplikacjach energetycznych.
Tranzystor o symbolu : 20NK50Z (P20NK50Z) METAL TO-220 »
ID produktu: 11214
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 20NK50Z (P20NK50Z) METAL TO-220
Model 20NK50Z, znany również jako P20NK50Z, to tranzystor MOSFET typu N, który cechuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS na poziomie 500V oraz prądem drenu ID wynoszącym do 20A. Zapakowany w obudowę TO-220, gwarantuje efektywny rozpraszanie ciepła. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz innych urządzeniach elektronicznych wymagających efektywnej kontroli mocy. Więcej informacji o częściach elektronicznych dostępnych w naszej ofercie.
Tranzystor 20NK50Z (P20NK50Z) METAL TO-220
Model 20NK50Z, znany również jako P20NK50Z, to tranzystor MOSFET typu N, który cechuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS na poziomie 500V oraz prądem drenu ID wynoszącym do 20A. Zapakowany w obudowę TO-220, gwarantuje efektywny rozpraszanie ciepła. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz innych urządzeniach elektronicznych wymagających efektywnej kontroli mocy. Więcej informacji o częściach elektronicznych dostępnych w naszej ofercie.
