LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 2N5770 (TO-92) »
ID produktu: 12343
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2N5770 (TO-92)
Tranzystor 2N5770, w obudowie TO-92, jest elementem półprzewodnikowym typu NPN, przeznaczonym do zastosowań o niskiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 45V oraz maksymalnym prądem kolektora IC 100mA. Jego zastosowanie znajduje w różnorodnych układach elektronicznych, w tym w obwodach wzmacniacza i przełączania. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych stanowi podstawowy komponent do budowy zaawansowanych systemów elektronicznych.
Tranzystor 2N5770 (TO-92)
Tranzystor 2N5770, w obudowie TO-92, jest elementem półprzewodnikowym typu NPN, przeznaczonym do zastosowań o niskiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 45V oraz maksymalnym prądem kolektora IC 100mA. Jego zastosowanie znajduje w różnorodnych układach elektronicznych, w tym w obwodach wzmacniacza i przełączania. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych stanowi podstawowy komponent do budowy zaawansowanych systemów elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : 2N5884 METAL (TO-3) »
ID produktu: 11813
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2N5884 METAL (TO-3)
Tranzystor 2N5884 METAL, w obudowie TO-3, jest bipolarnym tranzystorem mocy PNP, charakteryzującym się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 80V oraz prądem kolektora do 25A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji w przemyśle elektronicznym. Dostępne części elektroniczne obejmują szeroki asortyment komponentów do budowy zaawansowanych układów elektronicznych.
Tranzystor 2N5884 METAL (TO-3)
Tranzystor 2N5884 METAL, w obudowie TO-3, jest bipolarnym tranzystorem mocy PNP, charakteryzującym się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 80V oraz prądem kolektora do 25A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji w przemyśle elektronicznym. Dostępne części elektroniczne obejmują szeroki asortyment komponentów do budowy zaawansowanych układów elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : 2N5886 »
ID produktu: 11096
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2N5886
Tranzystor 2N5886, będący elementem z kategorii części elektronicznych, to bipolarny tranzystor mocy PNP, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy oraz przekaźników. Charakteryzuje się maksymalną dopuszczalną mocą strat P_tot wynoszącą 25W, maksymalnym napięciem kolektor-emiter V_CE wynoszącym 80V oraz maksymalnym prądem kolektora I_C równym 4A.
Tranzystor 2N5886
Tranzystor 2N5886, będący elementem z kategorii części elektronicznych, to bipolarny tranzystor mocy PNP, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy oraz przekaźników. Charakteryzuje się maksymalną dopuszczalną mocą strat P_tot wynoszącą 25W, maksymalnym napięciem kolektor-emiter V_CE wynoszącym 80V oraz maksymalnym prądem kolektora I_C równym 4A.
Tranzystor o symbolu : 2N60B (SS2N60B) PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 14008
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2N60B (SS2N60B) PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor typu MOSFET o symbolu 2N60B, wersja SS2N60B, zamknięty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 2A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz w układach sterowania silnikami.
Tranzystor 2N60B (SS2N60B) PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor typu MOSFET o symbolu 2N60B, wersja SS2N60B, zamknięty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 2A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz w układach sterowania silnikami.
Tranzystor o symbolu : 2N60C (FQPF2N60C) PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 10600
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2N60C (FQPF2N60C) PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2N60C, znany również jako FQPF2N60C, realizowany jest w obudowie TO-220F, charakteryzując się przez maksymalne napięcie dren-źródło VDS wynoszące 600V oraz prąd drenu ID na poziomie 2A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych oraz w szerokim zakresie aplikacji przełączających. Wyróżnia się wysoką odpornością na impulsy napięciowe oraz efektywnością w zarządzaniu energią.
Tranzystor 2N60C (FQPF2N60C) PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2N60C, znany również jako FQPF2N60C, realizowany jest w obudowie TO-220F, charakteryzując się przez maksymalne napięcie dren-źródło VDS wynoszące 600V oraz prąd drenu ID na poziomie 2A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych oraz w szerokim zakresie aplikacji przełączających. Wyróżnia się wysoką odpornością na impulsy napięciowe oraz efektywnością w zarządzaniu energią.
Tranzystor o symbolu : 2N6491 METAL (TO-220) »
ID produktu: 11814
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2N6491 METAL (TO-220)
Tranzystor 2N6491, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Jego parametry pozwalają na efektywne przełączanie oraz wzmacnianie sygnałów w układach elektronicznych. Dedykowany głównie do zastosowań w przemyśle, ten komponent może być stosowany w różnorodnych aplikacjach. Dostępność tego typu części elektronicznych jest kluczowa dla utrzymania ciągłości pracy systemów.
Tranzystor 2N6491 METAL (TO-220)
Tranzystor 2N6491, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Jego parametry pozwalają na efektywne przełączanie oraz wzmacnianie sygnałów w układach elektronicznych. Dedykowany głównie do zastosowań w przemyśle, ten komponent może być stosowany w różnorodnych aplikacjach. Dostępność tego typu części elektronicznych jest kluczowa dla utrzymania ciągłości pracy systemów.
Tranzystor o symbolu : 2N7002 SMD (SOT-23) »
ID produktu: 13403
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2N7002 SMD (SOT-23)
Tranzystor 2N7002, realizowany w obudowie SOT-23, to element z kategorii MOSFET typu N. Charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 60V oraz prądem drenu ID maksymalnym na poziomie 200mA. Jego niska rezystancja kanału przy włączeniu, RDS(on), zapewnia efektywną pracę w układach przełączających. Dedykowany dla aplikacji o ograniczonej przestrzeni, znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach zarządzania mocą i logice poziomów.
Tranzystor 2N7002 SMD (SOT-23)
Tranzystor 2N7002, realizowany w obudowie SOT-23, to element z kategorii MOSFET typu N. Charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 60V oraz prądem drenu ID maksymalnym na poziomie 200mA. Jego niska rezystancja kanału przy włączeniu, RDS(on), zapewnia efektywną pracę w układach przełączających. Dedykowany dla aplikacji o ograniczonej przestrzeni, znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach zarządzania mocą i logice poziomów.
Tranzystor o symbolu : 2NC60 SMD (TO-252) »
ID produktu: 12433
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2NC60 SMD (TO-252)
Tranzystor 2NC60 SMD, w obudowie TO-252, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką wydajnością prądową. Znajdujący zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości, jest nieodzownym elementem w projektowaniu nowoczesnych części elektronicznych. Maksymalna dopuszczalna moc oraz szybkość przełączania podkreślają jego uniwersalność.
Tranzystor 2NC60 SMD (TO-252)
Tranzystor 2NC60 SMD, w obudowie TO-252, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką wydajnością prądową. Znajdujący zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości, jest nieodzownym elementem w projektowaniu nowoczesnych części elektronicznych. Maksymalna dopuszczalna moc oraz szybkość przełączania podkreślają jego uniwersalność.
Tranzystor o symbolu : 2PG006 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12348
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2PG006 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2PG006, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia VBRCEO, które wynosi 600V oraz prądem kolektora IC o wartości 6A. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w częściach elektronicznych, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Jego zastosowanie znajduje się głównie w układach zasilających, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających stabilizacji napięcia przy dużej mocy.
Tranzystor 2PG006 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2PG006, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia VBRCEO, które wynosi 600V oraz prądem kolektora IC o wartości 6A. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w częściach elektronicznych, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Jego zastosowanie znajduje się głównie w układach zasilających, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających stabilizacji napięcia przy dużej mocy.
Tranzystor o symbolu : 2PG011 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13235
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2PG011 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2PG011, skonfigurowany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym 600V oraz prądem kolektora do 10A. Element ten, należący do grupy części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor 2PG011 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2PG011, skonfigurowany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym 600V oraz prądem kolektora do 10A. Element ten, należący do grupy części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur.
